論文首次揭示了“陷阱富集層”對載流子泄漏現象的顯著抑制作用。該特性直接促使諧振器品質因數（Q值）獲得有效提升，并顯著優化了濾波器的插入損耗性能。實驗數據明確顯示，在相同條件下，采用陷阱富集結構的FBAR濾波器其插入損耗絕對值較無此結構濾波器降低了1dB，有力印證了陷阱富集層在提升器件整體性能中的關鍵作用。

新聲半導體已圍繞該技術布局多項國內外專利，截至目前，新聲半導體已申請專利超過500項，已授權的發明專利超過160項，是國內唯一沒有專利侵權風險，且大規模量產FBAR濾波器的廠商，并在D-BAW®生產工藝平臺、 TC-SAW工藝及結構專利等方面進行了全面的專利布局，構建技術護城河。

關于新聲半導體

深圳新聲半導體有限公司自2020年3月啟動籌備，2021年3月正式成立，是國家重點扶持的高新技術企業。公司在北京和上海分別設有研發中心，同時在深圳和西安設立了銷售與技術支持中心，并在蘇州設有分支機構。新聲半導體致力于設計與銷售各類濾波器，包括BAW、SAW、TC-SAW、TF-SAW、IPD等，提供從濾波器、雙工器、多工器到模組的全系列產品，覆蓋6GHz以下全頻段。

關于IEEE IUS

IEEE IUS （IEEE International Ultrasonics Symposium，國際超聲研討會），是超聲技術領域最具影響力的國際學術會議之一。由 IEEE Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control Society (UFFC) 主辦，屬于IEEE的專業分會之一。是超聲領域發布前沿研究成果、交流技術進展的核心平臺，許多突破性技術在此首次公開。領域覆蓋：聚焦超聲技術及其應用，包括醫學超聲、工業超聲、聲學傳感器、壓電材料、微納聲學器件等。